Yeni arama için tıklayınız.
 

Tez

Yeliz Özkök

Medikal Uygulamalar İçin Reaktif Püskürtme Yöntemi İle Titanyum Nitrür (Tin) Ve Titanyum Oksinitrür (Tinxoy) İnce Filmlerin Üretilmesi Ve Karakterizasyonu

Productıon And Characterızatıon Of Tıtanıum Nıtrıde (Tin) And Tıtanıum Oxynıtrıde (Tinxoy) Thın Fılms By Reactıve Sputterıng Method For Medıcal Applıcatıons

Türkçe

Yüksek Lisans

Gazi Üniversitesi

Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı

Prof. Dr. Mehmet ÇAKMAK

2017

İnce film, Titanyum Nitrür, Titanyum Oksinitrür, Reaktif Püskürtme Yöntemi

 

Günümüzde TiN ve diğer bileşimlerinden oluşan ince filmler, farklı yüzeylere tutunma ve mekanik dayanımları sayesinde, havacılık ve uzay sanayisinde, biyouyumlulukları ile sağlık alanında yaygın olarak kullanılmaktadır. Özellikle ortopedik protez, diş implantları, kalp kapakçığı gibi medikal uygulamalarda TiN malzemeler dikkat çekmektedir. Bu tezde, p-tipi Si alttaş üzerine farklı argon/azot (Ar/N2) plazma gazı oranlarında (90/10, 80/20, 70/30) reaktif püskürtme yöntemi ile TiN ve TiNxOy ince filmler oluşturuldu. Her bir numune kaplama sonrasında 450 ve 550 oC’de ısıl işleme tabi tutuldu. Elde edilen filmlerin yapısal, elektriksel ve morfolojik analizleri sırasıyla, X-ışınları difraksiyonu (XRD), Hall etkisi ve atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ölçüm sistemleri ile incelendi. Ayrıca, incelenen numunelerdeki Titanyum (Ti), Azot (N), Oksijen (O), Silisyum (Si) atomik türlerinin dağılımı ikincil iyon kütle spektrometresi (SIMS) derinlik profili ile gözlendi.

 

Nowadays, thin films made of TiN and other compounds are widely used both in aviation and space industry and in health field due to their adhesion to different surfaces, their mechanical strength and biocompatibility. Especially, TiN materials get attention in medical applications such as orthopedic prosthesis, dental implants, and heart valve. In this study, TiN and TiNxOy thin films were realized on p-type Si substrate at different argon/nitrogen (Ar/N2) plasma gas ratios (90/10, 80/20, 70/30) by reactive sputtering method. Each of all sample was annealed at the temperature of 450 and 550 °C after coating process. Structural, electrical and morphological analyzes of the obtained films were examined by X-ray diffraction (XRD), Hall effect and atomic force microscopy (AFM) measurement systems, respectively. In addition, the distribution of Titanium (Ti), Nitrogen (N), Oxygen (O), Silicon (Si) atomic species in the considered samples was observed with a secondary ion mass spectrometry (SIMS) depth profile.